Простий
пошук
Розширений
пошук
Покажчики
Професійний
пошук
Рубрикатор
НБУВ
Розподілений
пошук

Бази даних

Наукова періодика України - результати пошуку

Книжкові видання та компакт-диски
Журнали та продовжувані видання
Автореферати дисертацій
Реферативна база даних
Наукова періодика України
Тематичний навігатор
Авторитетний файл імен осіб
Mozilla Firefox Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер
"Mozilla Firefox"
Вид пошуку
Повнотекстовий пошук
 Знайдено в інших БД:Реферативна база даних (4)
Список видань за алфавітом назв:
A  B  C  D  E  F  G  H  I  J  L  M  N  O  P  R  S  T  U  V  W  
А  Б  В  Г  Ґ  Д  Е  Є  Ж  З  И  І  К  Л  М  Н  О  П  Р  С  Т  У  Ф  Х  Ц  Ч  Ш  Щ  Э  Ю  Я  

Авторський покажчик    Покажчик назв публікацій


Пошуковий запит: (<.>A=Стецун А$<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 2
Представлено документи з 1 до 2
1.

Стецун А. І. 
Густина електронних станів аморфної плівки силіциду нікелю [Електронний ресурс] / А. І. Стецун // Фізика і хімія твердого тіла. - 2013. - Т. 14, № 3. - С. 553-554. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/PhKhTT_2013_14_3_18
Проведено розрахунок густини електронних станів аморфної плівки дисиліциду молібдену. Для цього використано формули, одержані на базі теорії Нобелівського Лауреата Н. Мотта та Е. Девіса. Встановлено, що електронні стани у вершині валентної зони даного матеріалу обумовлені d-електронами молібдену, p-електронами кремнію та p-електронами молібдену.Розраховано густину електронних станів аморфної плівки силіциду нікелю. Для цього використано формули, одержані на базі теорії Нобелівського Лауреата Н. Мотта та Е. Девіса. Встановлено, що електронні стани в вершині валентної зони даного матеріалу обумовлені d-електронами нікелю, p-електронами кремнію та s-електронами нікелю.
Попередній перегляд:   Завантажити - 100.404 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
2.

Стецун А. І. 
Густина електронних станів аморфної плівки дисиліциду молібдену [Електронний ресурс] / А. І. Стецун // Фізика і хімія твердого тіла. - 2016. - Т. 17, № 3. - С. 372-374. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/PhKhTT_2016_17_3_12
Проведено розрахунок густини електронних станів аморфної плівки дисиліциду молібдену. Для цього використано формули, одержані на базі теорії Нобелівського Лауреата Н. Мотта та Е. Девіса. Встановлено, що електронні стани у вершині валентної зони даного матеріалу обумовлені d-електронами молібдену, p-електронами кремнію та p-електронами молібдену.Розраховано густину електронних станів аморфної плівки силіциду нікелю. Для цього використано формули, одержані на базі теорії Нобелівського Лауреата Н. Мотта та Е. Девіса. Встановлено, що електронні стани в вершині валентної зони даного матеріалу обумовлені d-електронами нікелю, p-електронами кремнію та s-електронами нікелю.
Попередній перегляд:   Завантажити - 119.496 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
 
Відділ наукової організації електронних інформаційних ресурсів
Пам`ятка користувача

Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського